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场效应管(MOSFET)NV6015C-RA采购_元器件采购商城

NV6015C-RA

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  • 起订量:1000
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  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品NV6015C-RA规格参数

商品型号 :

NV6015C-RA

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Navitas

最小包装量 :

1

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

919

系列

GaNFast™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

800V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

7V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

190 毫欧@4A,7V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.6V@7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.4 nC@6 V

Vgs(最大值)

+7V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

75pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

57W

工作温度

-55℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-QFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerVDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • NV6015C-RA_场效应管(MOSFET)
    NV6015C-RA

    品牌: Navitas

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-QFN(5x6)

    库存: 919

    标准包: 1

    增量: 1000

    1000+

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    起订量:1000

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    官方客服电话:400-900-7975

  • NV6015C-RA_场效应管(MOSFET)
    NV6015C-RA

    品牌: Navitas

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-QFN(5x6)

    库存: 919

    标准包: 1

    增量: 1

    1+

    $48.691

    ¥404.3155

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