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IXFH32N100X

阶梯

美金

含税

150+

--

¥135.5552

350+

--

¥134.0321

650+

--

¥132.5429

1150+

--

¥131.0864

  • 库存:240
  • 起订量:150
  • 倍数:150

货期:

大陆: 2-3周交期

数量:

- +

合计:

¥20333.28

  • 最小包装量:1
  • 批次:2343+

商品IXFH32N100X规格参数

商品型号 :

IXFH32N100X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

150

批次 :

2343+

包装 :

--

库存 :

240

系列

HiPerFET™,Ultra X

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

32A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

220 毫欧@16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

6V@4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

130 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4075pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

890W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IXFH32

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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