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TPH1100CQ5,LQ

阶梯

美金

含税

7+

$1.7801

¥13.5544

10+

$1.5646

¥11.9131

25+

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250+

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500+

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¥10.0601

1000+

$1.2926

¥9.8423

3000+

$1.2641

¥9.6255

关税
  • 库存:4990
  • 起订量:7
  • 倍数:1

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

数量:

- +

合计:

¥94.8808

  • 最小包装量:1
  • 批次:2541+

商品TPH1100CQ5,LQ规格参数

商品型号 :

TPH1100CQ5,LQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

7

批次 :

2541+

包装 :

--

库存 :

4990

系列

U-MOSX-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Ta),49A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.1 毫欧@24.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@800µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

38 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4400pF@75 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3W(Ta),180W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOP Advance(5x5.75)

封装/外壳

8-PowerTDFN

ECCN

EAR99

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