SICW025N120H4-BP

商品型号 :

SICW025N120H4-BP

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MCC(美微科)

最小包装量 :

360

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

350

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

86A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

33 毫欧@40A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@50mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

305 nC@20 V

Vgs(最大值)

+20V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4909pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

375W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4

封装/外壳

TO-247-4

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99