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E3M0900170D

阶梯

美金

含税

1+

$57.3735

¥476.4124

30+

$32.1889

¥267.2868

60+

$29.1745

¥242.2567

120+

$26.6393

¥221.2045

510+

$22.5692

¥187.4075

关税
  • 库存:551
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥476.4124

  • 包装:散装
  • 最小包装量:30

商品E3M0900170D规格参数

商品型号 :

E3M0900170D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

551

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.25 欧姆@1.99A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@550µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@15 V

Vgs(最大值)

+19V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

202pF@1200 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

41W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

ECCN

EAR99

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