FF3MR20W3M1HH11BPSA1

商品型号 :

FF3MR20W3M1HH11BPSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

11

系列

EasyPACK™

包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

4 N 沟道(相位桥臂 + 升压斩波器)

FET 功能

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漏源电压(Vdss)

2000V(2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

275A(Tj)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.1 毫欧@320A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.15V@224mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1560nC@18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

47900pF@1500V

功率 - 最大值

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工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

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资质

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安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

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ECCN

EAR99