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IMSQ120R026M2HHXUMA1
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品牌：
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分类：
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封装：
PG-HDSOP-16-221
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描述：
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 83A, HDSOP
- 最小包装量：1
IMSQ120R026M2HHXUMA1其他库存
商品IMSQ120R026M2HHXUMA1规格参数
商品型号 :
IMSQ120R026M2HHXUMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
195
系列
CoolSiC™ G2
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
SiCFET(碳化硅)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
83A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧@27A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V@8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54nC@0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1990pF@800V
功率 - 最大值
410W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-BSOP(0.606",15.40mm 宽),16 引线,裸焊盘
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-221
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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