IMSQ120R012M2HHXUMA1

商品型号 :

IMSQ120R012M2HHXUMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1126

系列

CoolSiC™ G2

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

SiCFET(碳化硅)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

121A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12 毫欧@57A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.1V@17.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

109nC@0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4050pF@800V

功率 - 最大值

758W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

24-BSOP(0.606",15.40mm 宽),16 引线,裸焊盘

供应商器件封装

PG-HDSOP-16-221

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99