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IGLR70R200D2SXUMA1
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- 起订量：9
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TSON-8-8
-
描述：
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
- 最小包装量：1
- 批次：2532+
IGLR70R200D2SXUMA1其他库存
商品IGLR70R200D2SXUMA1规格参数
商品型号 :
IGLR70R200D2SXUMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
9
批次 :
2532+
包装 :
--
库存 :
5000
系列
CoolGaN™ G5
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
700V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
--
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
240 毫欧@2.1A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V@710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.26 nC@3 V
Vgs(最大值)
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
91pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
34W(Tc)
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSON-8-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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