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    场效应管(MOSFET)TSM60NE084TL RAG采购_元器件采购商城
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    商品TSM60NE084TL RAG规格参数

    商品型号 :

    TSM60NE084TL RAG

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

    最小包装量 :

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    起订量 :

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    2516+

    包装 :

    Cut Strips

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    2000

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    600V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    47A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    10V,12V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    82 毫欧@16A,12V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    6V@2.9mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    69 nC@10 V

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    2908pF@300 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    431W(Tc)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    TOLL

    封装/外壳

    8-PowerSFN

    REACH 状态

    不受 REACH影响

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    • TSM60NE084TL RAG_场效应管(MOSFET)
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      TSM60NE084TL RAG

      品牌： Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TOLL

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    • TSM60NE084TL RAG_场效应管(MOSFET)
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      TSM60NE084TL RAG

      品牌： Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

      分类： 场效应管(MOSFET)

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