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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TSM020NM10TL RAG

    场效应管(MOSFET)TSM020NM10TL RAG采购_元器件采购商城
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    TSM020NM10TL RAG

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    • 包装：Cut Strips
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    • 批次：2502+

    商品TSM020NM10TL RAG规格参数

    商品型号 :

    TSM020NM10TL RAG

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    2502+

    包装 :

    Cut Strips

    库存 :

    2000

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    100V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    300A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    2.2 毫欧@20A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.8V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    163 nC@10 V

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    11246pF@50 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    429W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    TOLLA

    封装/外壳

    8-PowerSFN

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    不受 REACH影响

    ECCN

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