CLB800M12HM3P

商品型号 :

CLB800M12HM3P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2530+

包装 :

--

库存 :

2

系列

--

包装

盒

技术

碳化硅(SiC)

配置

2 N 沟道,共模(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.051kA(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.7 毫欧@800A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.9V@255mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2784nC@15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

94900pF@800V

功率 - 最大值

2540W(Tc)

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

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REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99