TQM063NH08CR RLG

商品型号 :

TQM063NH08CR RLG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2452+

包装 :

Cut Strips

库存 :

5000

系列

PerFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

7V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.3 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

27 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1832pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

153W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

8-PDFNU(4.9x5.75)

封装/外壳

8-PowerTDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99