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    场效应管(MOSFET)TP65H030G4PRS-TR采购_元器件采购商城
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    商品TP65H030G4PRS-TR规格参数

    商品型号 :

    TP65H030G4PRS-TR

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Renesas(瑞萨)

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    1

    起订量 :

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    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    1902

    系列

    SuperGaN®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)

    漏源电压(Vdss)

    650V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    55.7A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    12V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    41 毫欧@30A,12V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.8V@1mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    24.5 nC@12 V

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    1500pF@400 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    192W(Tc)

    工作温度

    -40℃~150℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    TOLT

    封装/外壳

    16-PowerSOP 模块

    基本产品编号

    TP65H030

    ECCN

    EAR99

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    • TP65H030G4PRS-TR_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      TP65H030G4PRS-TR

      品牌： Renesas(瑞萨)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TOLT

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    • TP65H030G4PRS-TR_场效应管(MOSFET)
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      品牌： Renesas(瑞萨)

      分类： 场效应管(MOSFET)

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