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    场效应管(MOSFET)TP70H480G4JSG-TR采购_元器件采购商城
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    商品TP70H480G4JSG-TR规格参数

    商品型号 :

    TP70H480G4JSG-TR

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Renesas(瑞萨)

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    批次 :

    --

    包装 :

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    系列

    SuperGaN®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    GaNFET(氮化镓)

    漏源电压(Vdss)

    700V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    5A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    6V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    560 毫欧@3A,6V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V@500µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    5.2 nC@6 V

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    465pF@400 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    25W(Tc)

    工作温度

    -55℃~150℃

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    3-PQFN(5x6)

    封装/外壳

    2-PowerTSFN

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

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    • TP70H480G4JSG-TR_场效应管(MOSFET)
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      TP70H480G4JSG-TR

      品牌： Renesas(瑞萨)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 3-PQFN（5x6）

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    • TP70H480G4JSG-TR_场效应管(MOSFET)
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      TP70H480G4JSG-TR

      品牌： Renesas(瑞萨)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 3-PQFN（5x6）

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