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IMW65R010M2HXKSA1
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品牌：
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分类：
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封装：
PG-TO247-3-40
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描述：
SIC MOSFET, N-CHANNEL, 650V/130A, TO-247
- 最小包装量：1
IMW65R010M2HXKSA1其他库存
商品IMW65R010M2HXKSA1规格参数
商品型号 :
IMW65R010M2HXKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
113
系列
CoolSiC™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
9.1 毫欧@92.1A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V@18.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
112 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4001pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
440W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-40
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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