IXTP1R6N100D2

商品型号 :

IXTP1R6N100D2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

19

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

253

系列

Depletion

包装

管件

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10 欧姆@800mA,0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

27 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

645pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

100W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IXTP1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99