IMBG65R010M2HXTMA1

商品型号 :

IMBG65R010M2HXTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

698

系列

CoolSiC™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

158A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9.1 毫欧@92.1A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.6V@18.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

112 nC@18 V

Vgs(最大值)

+23V,-7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4001pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

535W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7-12

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99