DMN67D8LDW-13

商品型号 :

DMN67D8LDW-13

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

10000

起订量 :

1

批次 :

22+

包装 :

--

库存 :

198

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

230mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 欧姆@500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.82nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

22pF@25V

功率 - 最大值

320mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SOT-363

基本产品编号

DMN67

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99