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GT750P10D5

阶梯

美金

含税

5000+

$4.2172

¥35.0185

15000+

$3.8077

¥31.6182

关税
  • 库存:2559
  • 起订量:5000
  • 倍数:5000

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥175092.50

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品GT750P10D5规格参数

商品型号 :

GT750P10D5

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

5000

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

2559

系列

SGT

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

24A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

60 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

40 nC@10 V

Vgs(最大值)

20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1930pF@50 V

功率耗散(最大值)

79W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-DFN(4.9x5.75)

封装/外壳

8-PowerTDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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