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场效应管(MOSFET)IXFP5N100PM采购_元器件采购商城

IXFP5N100PM

阶梯

美金

含税

300+

--

¥40.5865

500+

--

¥40.1305

800+

--

¥39.6846

1300+

--

¥39.2485

  • 库存:10000
  • 起订量:300
  • 倍数:300

货期:

大陆: 2-3周交期

数量:

- +

合计:

¥12175.95

  • 最小包装量:1
  • 批次:21+

商品IXFP5N100PM规格参数

商品型号 :

IXFP5N100PM

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

300

批次 :

21+

包装 :

--

库存 :

10000

系列

HiPerFET™,Polar

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.8 欧姆@2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

6V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

33.4 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1830pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

42W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220 隔离的标片

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

基本产品编号

IXFP5N100

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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