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SIZ340BDT-T1-GE3

阶梯

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含税

1+

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¥2.9535

10+

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30+

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100+

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¥1.6067

500+

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¥1.4333

1000+

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¥1.3297

  • 库存:80
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥2.9535

  • 最小包装量:3000

商品SIZ340BDT-T1-GE3规格参数

商品型号 :

SIZ340BDT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

80

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(双),肖特基

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16.9A(Ta),36A(Tc),25.3A(Ta),69.3A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8.56毫欧@10A,10V,4.31毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12.6nC@10V,23.5nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

550pF@15V,1065pF@15V

功率 - 最大值

3.7W(Ta),16.7W(Tc),4.2W(Ta),31W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-Power33(3x3)

基本产品编号

SIZ340

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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