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    三极管(BJT)NSVT856MTWFTBG采购_元器件采购商城
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    NSVT856MTWFTBG

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    商品NSVT856MTWFTBG规格参数

    商品型号 :

    NSVT856MTWFTBG

    类目 :

    三极管(BJT)

    品牌 :

    Onsemi(安森美)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    600

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    晶体管类型

    PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    100mA

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    65V

    不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

    900mV@5mA,100mA

    电流 - 集电极截止(最大值)

    15nA(ICBO)

    不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

    220@2mA,5V

    功率 - 最大值

    650 mW

    频率 - 跃迁

    100MHz

    工作温度

    -65℃~150℃(TJ)

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    表面贴装,可润湿侧翼

    封装/外壳

    3-XFDFN

    供应商器件封装

    3-XDFNW(1x1)

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • NSVT856MTWFTBG_三极管(BJT)
      数据手册
      NSVT856MTWFTBG

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： 3-XDFNW（1x1）

      库存： 600

      标准包： 1

      增量： 5

      5+

      $0.5925

      ¥4.241

      10+

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      100+

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      500+

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    • NSVT856MTWFTBG_三极管(BJT)
      数据手册
      NSVT856MTWFTBG

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 三极管(BJT)

      封装： 3-XDFNW（1x1）

      库存： 600

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