CSD17313Q2Q1

商品型号 :

CSD17313Q2Q1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

2348

批次 :

2301+

包装 :

--

库存 :

1842000

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

3V,8V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

30 毫欧@4A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.8V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.7 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+10V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

340pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.3W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-WSON(2x2)

封装/外壳

6-WDFN 祼焊盘

基本产品编号

CSD17313

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99