5HN01M-TL-E

商品型号 :

5HN01M-TL-E

类目 :

其它

品牌 :

SANYO DENKI(山洋)

最小包装量 :

1

起订量 :

3040

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

246000

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

50V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

100mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.5 欧姆@50mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@100µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6.2pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150mW(Ta)

工作温度

150℃