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RJK5030DPD-03#J2

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商品RJK5030DPD-03#J2规格参数

商品型号 :

RJK5030DPD-03#J2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

259

批次 :

1901+

包装 :

--

库存 :

5500

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

500V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.6 欧姆@2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@1mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

550pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

41.7W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

MP-3A

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • RJK5030DPD-03#J2

    品牌: Renesas(瑞萨)/Intersil

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: MP-3A

    库存: 5500

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