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PMPB50ENEX

阶梯

美金

含税

1280+

$0.3809

¥2.9003

10000+

$0.3397

¥2.5865

100000+

$0.2846

¥2.1668

关税
  • 库存:6000
  • 起订量:1280
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3712.384

  • 最小包装量:1
  • 批次:1801+

商品PMPB50ENEX规格参数

商品型号 :

PMPB50ENEX

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1280

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

6000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

43 毫欧@5.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

271pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.9W(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN2020MD-6

封装/外壳

6-UDFN 祼焊盘

基本产品编号

PMPB50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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