PMCM6501VPEZ

商品型号 :

PMCM6501VPEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

667

批次 :

1601+

包装 :

--

库存 :

7773886

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

25 毫欧@3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

29.4 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1400pF@6 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

556mW(Ta),12.5W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-WLCSP(1.48x0.98)

封装/外壳

6-XFBGA,WLCSP

ECCN

EAR99