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IRF6637TRPBF

阶梯

美金

含税

284+

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¥13.1589

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  • 库存:910
  • 起订量:284
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3737.1276

  • 最小包装量:1
  • 批次:2001+

商品IRF6637TRPBF规格参数

商品型号 :

IRF6637TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

284

批次 :

2001+

包装 :

--

库存 :

910

系列

HEXFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14A(Ta),59A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.7 毫欧@14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.35V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

17 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1330pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.3W(Ta),42W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DIRECTFET™ MP

封装/外壳

DirectFET™ 等容 MP

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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