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IPD60N10S412ATMA1
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货期：
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品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO252-3-313
-
描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
- 最小包装量：1
- 批次：2201+
IPD60N10S412ATMA1其他库存
商品IPD60N10S412ATMA1规格参数
商品型号 :
IPD60N10S412ATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
405
批次 :
2201+
包装 :
--
库存 :
16790
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
12.2 毫欧@60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2470pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
IPD60N10
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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