IMBG65R083M1HXTMA1

商品型号 :

IMBG65R083M1HXTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

91

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

4100

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

111 毫欧@11.2A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.7V@3.3mA

Vgs(最大值)

+23V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

624pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

126W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售