IKD06N60RC2ATMA1

商品型号 :

IKD06N60RC2ATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

763

批次 :

2001+

包装 :

--

库存 :

1849

系列

TRENCHSTOP™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

11.7A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

18A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.3V@15V,6A

功率 - 最大值

51.7W

开关能量

170µJ(导通),80µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

31 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

6ns/129ns

测试条件

400V,6A,49 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

98ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

PG-TO252-3

基本产品编号

IKD06N60

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99