HAT2172N-EL-E

商品型号 :

HAT2172N-EL-E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

188

批次 :

1101+

包装 :

--

库存 :

27028

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.8 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

32 nC@10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2420pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

20W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-LFPAK-iV

封装/外壳

8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)

ECCN

EAR99