BSS119NH7796

商品型号 :

BSS119NH7796

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

7110

批次 :

1301+

包装 :

--

库存 :

8803

系列

OptiMOS™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

190mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6 欧姆@190mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.3V@13µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.6 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

20.9pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT23-3-5

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99