AUIRL7766M2TR

商品型号 :

AUIRL7766M2TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

181

批次 :

1701+

包装 :

--

库存 :

8376

系列

HEXFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10 毫欧@31A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

66 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5305pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),62.5W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DirectFET™ 等距 M4

封装/外壳

DirectFET™ 等距 M4

ECCN

EAR99