IAUTN08S5N012LATMA1

商品型号 :

IAUTN08S5N012LATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1788

系列

OptiMOS™ 5

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道,共漏,共源

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

300A(Tj)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.15 毫欧@100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.3V@275µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

15340pF@40V

功率 - 最大值

375W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerSFN

供应商器件封装

PG-HSOF-8-2

ECCN

EAR99