TW083Z65C,S1F

商品型号 :

TW083Z65C,S1F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

30

起订量 :

30

批次 :

2320+

包装 :

--

库存 :

30

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

118 毫欧@15A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

28 nC@18 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

873pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

111W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L(X)

封装/外壳

TO-247-4

ECCN

EAR99