ISG0616N10NM5HSCATMA1

商品型号 :

ISG0616N10NM5HSCATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2262

系列

OptiMOS™ 5

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

19A(Ta),139A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.8V@85µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

78nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4800pF@50V

功率 - 最大值

3W(Ta),167W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

10-PowerWDFN

供应商器件封装

PG-WHITFN-10-1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99