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STGSH80HB65DAG

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商品STGSH80HB65DAG规格参数

商品型号 :

STGSH80HB65DAG

类目 :

IGBT单管

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

200

系列

HB

包装

散装

IGBT 类型

--

配置

半桥

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

83A

功率 - 最大值

250W

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,80A

不同 Vce 时输入电容 (Cies)

10450pF@25 V

输入

标准

NTC 热敏电阻

无

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

9-PowerSMD

供应商器件封装

9-ACEPACK SMIT

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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  • STGSH80HB65DAG

    品牌: ST(意法半导体)

    分类: IGBT单管

    封装: 9-ACEPACK SMIT

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  • STGSH80HB65DAG

    品牌: ST(意法半导体)

    分类: IGBT单管

    封装: 9-ACEPACK SMIT

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