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STGSH80HB65DAG
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STGSH80HB65DAG其他库存
商品STGSH80HB65DAG规格参数
商品型号 :
STGSH80HB65DAG
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
11
系列
HB
包装
散装
IGBT 类型
--
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
83A
功率 - 最大值
250W
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V@15V,80A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
10450pF@25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-PowerSMD
供应商器件封装
9-ACEPACK SMIT
REACH 状态
受 REACH 影响
ECCN
EAR99
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