STGSB200M65DF2AG

商品型号 :

STGSB200M65DF2AG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

200

系列

--

包装

散装

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

216A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

700A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.05V@15V,200A

功率 - 最大值

714W

开关能量

3.82mJ(导通),6.97mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

554 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

122ns/250ns

测试条件

400V,200A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

174.5ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

9-PowerSMD

供应商器件封装

9-ACEPACK SMIT

基本产品编号

STGSB200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99