百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > 2SK3564(STA4,Q,M)
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-220SIS
描述:
1个N沟道 耐压:900V 电流:0.2A
商品型号 :
2SK3564(STA4,Q,M)
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
50
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
4348
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
4.3 欧姆@1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@1mA
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
最后售卖
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