GAN3R2-100CBEAZ

商品型号 :

GAN3R2-100CBEAZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2316+

包装 :

--

库存 :

7500

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.2 毫欧@25A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@9mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12 nC@5 V

Vgs(最大值)

+6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1000pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

394W

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-WLCSP(3.5x2.13)

封装/外壳

8-XFBGA,WLCSP

基本产品编号

GAN3R2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99