SH8MB4TB1

商品型号 :

SH8MB4TB1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

80

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A(Ta),5.5A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

55 毫欧@4.5A,10V,46 毫欧@5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.5nC@10V,17.2nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@20V,920pF@20V

功率 - 最大值

2W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOP

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99