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IMBG65R007M2HXTMA1
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品牌：
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分类：
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封装：
PG-TO263-7-12
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描述：
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 238A, TO-263
- 最小包装量：1
IMBG65R007M2HXTMA1其他库存
商品IMBG65R007M2HXTMA1规格参数
商品型号 :
IMBG65R007M2HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
875
系列
CoolSiC™ Gen 2
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
238A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧@146.3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V@2.97mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
179 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6359pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
789W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-12
封装/外壳
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
基本产品编号
IMBG65R007
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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