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STGD6M65DF2
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商品STGD6M65DF2规格参数
商品型号 :
STGD6M65DF2
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
2490
起订量 :
2490
批次 :
2416+
包装 :
--
库存 :
2490
系列
M
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
12A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
24A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V@15V,6A
功率 - 最大值
88W
开关能量
36µJ(导通),200µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
21.2 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
15ns/90ns
测试条件
400V,6A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
140ns
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
基本产品编号
STGD6
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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