STGD6M65DF2

商品型号 :

STGD6M65DF2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

559

系列

M

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

12A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

24A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,6A

功率 - 最大值

88W

开关能量

36µJ(导通),200µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

21.2 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

15ns/90ns

测试条件

400V,6A,22 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

140ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

DPAK

基本产品编号

STGD6

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99