IMZ120R045M1XKSA1

商品型号 :

IMZ120R045M1XKSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1515

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

52A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

59 毫欧@20A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.7V@10mA

Vgs(最大值)

+20V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1900pF@800 V

FET 功能

电流检测

功率耗散(最大值)

228W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

不适用于新设计