STGW15M120DF3

商品型号 :

STGW15M120DF3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

600

起订量 :

600

批次 :

2413+

包装 :

--

库存 :

33600

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

30A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

60A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.3V@15V,15A

功率 - 最大值

259W

开关能量

550µJ(导通),850µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

226 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

26ns/122ns

测试条件

600V,15A,22 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

270ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247

基本产品编号

STGW15

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99