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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-39
描述:
场效应管, MOSFET, N沟道, 90V, 1.5A, TO-39-3
商品型号 :
2N6661
类目 :
品牌 :
MICROCHIP/ATMEL
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
92
系列
--
包装
袋
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
90V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
4 欧姆@1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF@24 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
6.25W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-39
封装/外壳
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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